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- 公司名:青島育豪微電子設備有限公司
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LPCVD化學相沉積設備
用途：用于半導體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備特點：一次設定自動完成，可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進口機組主要技術指標：制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；溫度：400~900℃；恒溫區(qū)600mm±0.5℃；真空系統(tǒng)機械泵+羅茨泵，配有抽氣冷井；控溫器采用進口5吋觸
2016-09-24 電議/臺 -
磁性材料專項使用設備
主要技術指標：◆釤鈷退火每爐15-150公斤，燒結每爐35公斤◆工作溫度及均勻度：1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(燒結)◆滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式：觸摸屏、工控機◆型號：VTO-250（燒結）/VTO-4
2016-09-24 電議/臺 -
LED外延片退火爐
◆全中文操作界面，可編輯參數(shù)，操作簡便◆可保存多條工藝曲線，每條曲線可設置多步◆工藝曲線的自動運行控制功能◆自動運行中可暫停繼續(xù)運行功能◆工藝中可強制跳到下一工藝步運行功能◆智能升降溫斜率控制功能◆PID參數(shù)自整定功能◆可存儲多組PID參數(shù)供系統(tǒng)運
2016-09-24 電議/臺 -
太陽能（光伏）擴散爐
◆工作溫度：300~1200℃◆有效口徑根據(jù)用戶擴散片確定，可訂制◆恒溫區(qū)長度：920mm1350mm（可根據(jù)用戶要求定制）◆溫區(qū)精度(靜態(tài)閉管測試)：600℃＜工作溫度＜1200℃：±0.5℃300℃&le工作溫度&le600℃：±1℃◆單點溫度穩(wěn)定性(靜態(tài)閉管測試)
2016-09-24 電議/臺 -
程控擴散爐
產(chǎn)品說明：擴散爐主要滿足半導體電力電子器件行業(yè)、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。主要技術指標：★可處理硅片尺寸：2&mdash8英寸★外
2016-09-24 電議/臺 -
立式真空擴散爐
本設備主要應用于集成電路、分立器件、電力電子器件熔化焊接來進行的生產(chǎn)、擴散、燒結、以及熱處理退火等工藝操作。主要技術指標：方式：立式、環(huán)壁加熱，鐘罩升降式，絲杠上下傳送料，自動升降送料，真空室內(nèi)配有工件支架可處理硅片尺寸：28英寸恒溫區(qū)長度：400800mm工作溫度：
2016-09-24 電議/臺 -
LED專項使用擴散爐
特點：★關鍵件全部采用進口件，具有高可靠性�！锞哂锌删幊痰纳�、降溫功能�！锞哂袛嚯妴泳o急信號、超溫啟動緊急信號、較限超溫啟動緊急信號等多種安全保護功能。★可存儲九條工藝曲線。每條工藝曲線較多有九步�！锴�間可以任意鏈接、重復�！锞哂懈呖垢蓴_能力�！锞哂卸喾N工藝
2016-09-24 電議/臺