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供應產(chǎn)品分類
精品推薦
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LPCVD化學相沉積設備
用途：用于半導體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備特點：一次設定自動完成，可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進口機組主要技術指標：制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；溫度：400~900℃；恒溫區(qū)600mm±0.5℃；真空系統(tǒng)機械泵+羅茨泵，配有抽氣冷井；控溫器采用進口5吋觸
2016-09-24 電議/臺 -
磁性材料專項使用設備
主要技術指標：◆釤鈷退火每爐15-150公斤，燒結每爐35公斤◆工作溫度及均勻度：1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(燒結)◆滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式：觸摸屏、工控機◆型號：VTO-250（燒結）/VTO-4
2016-09-24 電議/臺 -
鏈式（隧道爐）鏈式爐設備
主要用于半導體：二較管、整流橋、集成電路、電力電子器件等在氮氣、或氫氮混合氣體的保護下進行焊接、封裝、退火烘干等工藝。主要技術指標：★工作溫度：200℃&mdash1200℃；溫度控制精度：±2℃；總功率：20&mdash100KV.★爐膛寬度尺寸：100mm&mdash80
2016-09-24 電議/臺 -
單工位真空爐
簡單描述：真空燒結爐廣泛應用于半導體、冶金及其它行業(yè)的熱處理、真空工藝處理詳細介紹：★工作溫度：400-1200oC★單點溫度控制精度：≤±1oC/24h★等溫區(qū)長度：200-400mm/±1mm★升溫功率：3-6KVA★升溫時間：（至1200℃）<750min
2016-09-24 電議/臺 -
雙工位真空爐
詳細說明雙工位真空燒結爐主要應用于電力半導體器件燒結焊接等工藝設備參數(shù)：★真空室工位數(shù)：13位★真空度：1x103Pa，加擴散泵為5x106Pa★工作溫度：1000℃★充氣的較高壓強：0.5Mpa（可控）★不銹鋼內(nèi)膽：&Phi150&Phi350x1300
2016-09-24 電議/臺 -
三工位真空爐
三工位真空燒結爐主要應用于電力半導體器件燒結焊接等工藝設備參數(shù)：★口徑：&Phi350mm★工作方式：共用一套加熱體，A、B、C管交替工作★工作溫度：3001000℃★恒溫區(qū)1000mm±3℃★冷態(tài)真空度：5&Chi104Pa★真空系統(tǒng)：機械泵+K300擴散泵★
2016-09-24 電議/臺 -
氫氣燒結爐
主要技術指標：◆釤鈷退火每爐15150公斤，燒結每爐35公斤◆工作溫度及均勻度：1000℃1250℃۫.5℃◆真空度：5.0𴠽Pa(退火)5.0𴠿Pa(燒結)◆滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式：觸摸屏、工控機◆
2016-09-24 電議/臺 -
井式真空爐
主要用于熔化焊錫來進行電子器件的生產(chǎn)以及二較管模塊燒結等工藝操作。主要技術指標：&diams方式：井式、銅板加熱，加熱面積直徑380mm見方.&diams較高溫度：600℃&diams工作溫度：500℃以內(nèi)。&diams控溫精度：±2℃&diams有效工
2016-09-24 電議/臺 -
LED外延片退火爐
◆全中文操作界面，可編輯參數(shù)，操作簡便◆可保存多條工藝曲線，每條曲線可設置多步◆工藝曲線的自動運行控制功能◆自動運行中可暫停繼續(xù)運行功能◆工藝中可強制跳到下一工藝步運行功能◆智能升降溫斜率控制功能◆PID參數(shù)自整定功能◆可存儲多組PID參數(shù)供系統(tǒng)運
2016-09-24 電議/臺 -
太陽能（光伏）擴散爐
◆工作溫度：300~1200℃◆有效口徑根據(jù)用戶擴散片確定，可訂制◆恒溫區(qū)長度：920mm1350mm（可根據(jù)用戶要求定制）◆溫區(qū)精度(靜態(tài)閉管測試)：600℃＜工作溫度＜1200℃：±0.5℃300℃&le工作溫度&le600℃：±1℃◆單點溫度穩(wěn)定性(靜態(tài)閉管測試)
2016-09-24 電議/臺