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產品描述

TF1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)

產品簡介：此款設備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要功能和特點：

1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相；

2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量；

3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率；

4、能廣泛用于：石墨烯、SiO_x、SiN_x、CN_x、TiC_xN_y等薄膜的生長。

滑軌管式爐技術參數
		石英管尺寸			L1400mm Φ（60、80、100）
		加熱元件			摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲
		測溫元件			K型熱電偶
		加熱區(qū)長度			410mm
		恒溫區(qū)長度			200mm
		工作溫度			≤1100℃
		控溫模式			模糊PID控制和自整定調節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶啟動緊急信號功能
		控溫精度			?1℃
		升溫速率			≤20℃/min
		電功率			AC220V/50HZ/3KW
質量供氣系統(tǒng)技術參數
	外形尺寸				600x600x600mm
	標準量程				50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
	壓力表測量范圍				-0.1Mpa～0.15Mpa
	較限壓力				3MPa
	針閥				316不銹鋼
	截止閥				Φ6mm 316不銹鋼針閥
	電功率				AC220V/50HZ/20W
	響應時間				氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
	準確度				?1.5%
	線性				?0.5～1.5%
	重復精度				?0.2%
	接口				Φ6,1/4''
真空系統(tǒng)技術參數
			外型尺寸	600?600?600mm
			工作電電壓	220V?10% 50~60HZ
			功率	400W
			抽氣速率	4L\s
			較限真空	4X10-2Pa
			實驗真空度	1.0X10-1Pa
			容油量	1.1L
			進氣口口徑	KF25
			排氣口口徑	KF25
			轉速	1450rpm
射頻電源
			信號頻率	13.56 MHz?0.005%
			功率輸出范圍	3W-300W 5W-500W可選
			非常大反射功率	200W
			射頻輸出接口	50 Ω, N-type, female
			功率穩(wěn)定度	?0.1%
			諧波分量	≤-50dbc
			供電電壓	單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ
			整機效率	>=70%
			功率因素	>=90%
			冷卻方式	強制風冷