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  • IGCT測試設備功率器件阻斷特性測試設備
    IGCT測試設備功率器件阻斷特

    系統(tǒng)概述:功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),反向重復峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對應的斷態(tài)重復峰值電流(IDRM),反向重復峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:序號

    2026-01-14 100000/臺
  • 自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應
    自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應

    本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

    2026-01-14 100000/臺
  • 功率器件 圖示系統(tǒng)
    功率器件 圖示系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實際需求設置功能測試,直接讀取數(shù)顯結果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電

    2026-01-13 100000/臺
  • 半導體  分立器件測試設備
    半導體 分立器件測試設備

    系統(tǒng)概述:設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試

    2026-01-13 100000/臺
  • 晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試設備
    晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

    系統(tǒng)概述:本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關斷

    2026-01-12 100000/臺
  • 半導體器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)
    半導體器件晶閘管全動態(tài)測試

    一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,

    2026-01-12 100000/臺
  • SCR晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)
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    2026-01-09 100000/臺
  • 可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺
    可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺

    產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

    2026-01-09 100000/臺
  • 可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
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    一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機

    2026-01-08 100000/元
  • 碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導體器件研發(fā)
    碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導體

    一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額

    2026-01-08 100000/元
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