西安智盈電氣科技有限公司

已認(rèn)證 天眼查

主營:半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件

  • 1
  • 2

供應(yīng)產(chǎn)品分類

精品推薦

+更多

留言咨詢
  • ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)
    ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備,該設(shè)備主要組成單元有:示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測試方法符合

    2026-03-01 100000/臺(tái)
  • 半導(dǎo)體  分立器件測試設(shè)備
    半導(dǎo)體 分立器件測試設(shè)備

    系統(tǒng)概述:設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點(diǎn)擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試

    2026-02-25 100000/臺(tái)
  • 晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測試設(shè)備
    晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測試

    系統(tǒng)概述:本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關(guān)斷

    2026-02-24 100000/臺(tái)
  • 可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺(tái)
    可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺(tái)

    產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

    2026-02-12 100000/臺(tái)
  • 碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件研發(fā)
    碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

    一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺(tái),是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備,對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額

    2026-02-11 100000/元
  • 整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)平臺(tái)
    整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)

    一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn),測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)(試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流,)進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制

    2026-02-10 100000/臺(tái)
  • 8KV交流阻斷耐久性測試儀
    8KV交流阻斷耐久性測試儀

    一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn),測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)(試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流,)進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制

    2026-02-09 10000/元
  • 10uS方波浪涌測試設(shè)備 半導(dǎo)體研發(fā)
    10uS方波浪涌測試設(shè)備 半導(dǎo)

    10uS方波浪涌測試設(shè)備一、產(chǎn)品簡介10uS方波浪涌測試設(shè)備,是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動(dòng)控制,測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果,并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

    2026-02-05 100000/臺(tái)
  • DBC-112   可控硅 靜態(tài)綜合測試設(shè)備
    DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

    系統(tǒng)概述:針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備,電壓8500V、10000A(可擴(kuò)展),自動(dòng)化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果,測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ),工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個(gè)

    2026-01-28 100000/臺(tái)
  • DBC-029D 功率器件阻斷特性 測試設(shè)備
    DBC-029D 功率器件阻斷特性

    系統(tǒng)概述:功率半導(dǎo)體阻斷特性測試臺(tái)主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),反向重復(fù)峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對(duì)應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流(IDRM),反向重復(fù)峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:序號(hào)

    2026-01-27 100000/臺(tái)
免費(fèi)會(huì)員最多展示10條