西安智盈電氣科技有限公司

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計算機(jī)記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活，可測試單個

2025-04-01 100000/臺

DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號

2025-03-28 100000/臺

功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動生成，也可根據(jù)實際需求設(shè)置功能測試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電

2025-03-27 100000/臺

晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2025-03-26 100000/臺

半導(dǎo)體 分立器件測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A。采用了脈沖測試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座，自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測

2025-03-24 100000/臺

IGBT 便攜式測試儀

系統(tǒng)概述：IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面

2025-03-22 100000/臺

晶閘管 門極/阻斷特性測試儀

系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測試的專業(yè)設(shè)備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測試臺具有漏電流自動保護(hù)功能，過電壓

2025-03-21 100000/臺

ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測試方法符合

2025-03-20 100000/臺

半導(dǎo)體 分立器件測試設(shè)備

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A。采用了脈沖測試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座，自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試

2025-03-18 100000/臺

晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2025-03-17 100000/臺

可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺

產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

2025-03-14 100000/臺

整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

2025-03-13 100000/臺

碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設(shè)計測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額

2025-03-12 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測試儀

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

2025-03-10 10000/元

10uS方波浪涌測試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測試設(shè)備一、產(chǎn)品簡介10uS方波浪涌測試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點：1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

2025-03-05 100000/臺