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  • 晶閘管 門極/阻斷特性測試儀
    晶閘管 門極/阻斷特性測試儀

    系統(tǒng)概述:晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數以及其它半導體器件的相關參數測試的專業(yè)設備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標準。該測試臺具有漏電流自動保護功能,過電壓

    2025-03-21 100000/臺
  • ZY-1500R IGBT 靜態(tài)參數測試系統(tǒng)
    ZY-1500R IGBT 靜態(tài)參數測試

    系統(tǒng)概述:針對IGBT的靜態(tài)參數而研發(fā)的智能測試系統(tǒng),功率3500V、1500A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態(tài)、數據采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個

    2025-03-21 100000/臺
  • ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)
    ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,該設備主要組成單元有:示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護電路、計算機程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器等。測試方法符合

    2025-03-20 100000/臺
  • DBC-112   可控硅 靜態(tài)綜合測試設備
    DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

    系統(tǒng)概述:針對晶閘管的靜態(tài)參數而研發(fā)的智能測試設備,電壓8500V、10000A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態(tài)、數據采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個

    2025-03-20 100000/臺
  • 自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應
    自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應

    本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

    2025-03-19 100000/臺
  • IGCT測試設備功率器件阻斷特性測試設備
    IGCT測試設備功率器件阻斷特

    系統(tǒng)概述:功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),反向重復峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對應的斷態(tài)重復峰值電流(IDRM),反向重復峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數測試。系統(tǒng)單元及參數條件:序號

    2025-03-19 100000/臺
  • 半導體  分立器件測試設備
    半導體 分立器件測試設備

    系統(tǒng)概述:設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內部及測試

    2025-03-18 100000/臺
  • 功率器件 圖示系統(tǒng)
    功率器件 圖示系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據實際需求設置功能測試,直接讀取數顯結果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數據的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電

    2025-03-18 100000/臺
  • 晶閘管、IGCT 動態(tài)參數測試設備
    晶閘管、IGCT 動態(tài)參數測試

    系統(tǒng)概述:本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關斷

    2025-03-17 100000/臺
  • 半導體器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)
    半導體器件晶閘管全動態(tài)測試

    一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,

    2025-03-17 100000/臺