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IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 地鐵

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)一.功能簡(jiǎn)介IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

2025-03-05 100000/臺(tái)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

2025-03-05 100000/臺(tái)

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并

2025-03-04 100000/臺(tái)

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介n雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常

2025-03-04 100000/臺(tái)

浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)

浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)

2025-03-03 100000/臺(tái)

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做

2025-03-03 100000/臺(tái)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off/Qrr

2025-03-03 100000/臺(tái)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off/

2025-03-01 100000/套

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備1.總則可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的技術(shù)參數(shù)要求，試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)驗(yàn)收及包裝運(yùn)輸要求等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)

2025-02-28 100000/套

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定

2025-02-28 100000/套