隨著科技的發(fā)展,印刷電路板已成為不可或缺的電子部件,目前印刷電路板已改稱為電子基板。傳統(tǒng)無機(jī)基板以Al2O3、SiC、BeO 和AlN等為基材,這些材料在熱導(dǎo)率、抗彎強(qiáng)度以及熱膨脹系數(shù)方面有良好的性能,現(xiàn)廣泛應(yīng)用于MCM電路基板行業(yè)。這次研究的電路基板材料是以Al2O3 和AIN為主要原料,采用硅碳棒電阻爐燒結(jié)制備而成,進(jìn)而探究其相對密度、介電常數(shù)以及介電損耗性能。
相對密度將會影響到陶瓷基板的硬度,易碎問題一直都是困擾在RFID廠家心頭的大難題,密度高的話,就不會那么容易碎掉。介電常數(shù)與介質(zhì)損耗將會直接影響到RFID電子標(biāo)簽的信號傳輸。
相對密度分析
我們將一塊AIN陶瓷基板和一塊Al2O3陶瓷基板放在相同的溫度下,隨著溫度的升高,其基板材料的相對密度隨著升高,溫度達(dá)到1100 ℃達(dá)到較大值。當(dāng)Al2O3 陶瓷基板的添加量為60 wt%,AIN陶瓷基板的添加量為10 wt% 時,AIN陶瓷基板集成電路基板材料的相對密度相對其它配方較大,此時樣品較致密,有利于AIN陶瓷集成電路基板材料力學(xué)性能的提高
介電常數(shù)分析
從上面的實(shí)驗可以看出隨著溫度升高,其介電常數(shù)隨之升高。當(dāng)溫度達(dá)到1100 ℃時,介電常數(shù)達(dá)到較大值。當(dāng)Al2O3 陶瓷基板添加量從50 wt% 變化至65 wt%,AIN陶瓷基板添加量從20 wt% 變化至5 wt% 時,氧化鋁集成電路基板材料的介電常數(shù)呈現(xiàn)出先增加后減少的趨勢。當(dāng)Al2O3陶瓷基板 含量為60 wt%,AIN陶瓷基板含量為10 wt% 的時候,所制備的樣品性能較佳。這是因為影響介電常數(shù)的因素是多方面的,只要涉及配方組成中化學(xué)組成,當(dāng)堿金屬離子氧化物的含量越多,其介電常數(shù)越大。另外,溫度升高過程中各離子和偶極子的熱運(yùn)動會隨著加強(qiáng),較終導(dǎo)致介電常數(shù)增加。
介質(zhì)損耗分析
隨著溫度的升高,介質(zhì)損耗逐漸下降。當(dāng)Al2O3陶瓷基板 在50 wt% 至65 wt% 之間變化,AIN陶瓷基板在20 wt% 至5 wt% 之間變化時,介質(zhì)損耗先減少后增加,當(dāng)Al2O3陶瓷基板 添加量為60 wt%,AIN陶瓷基板 添加量為10 wt%,且當(dāng)燒結(jié)溫度為1100 ℃時,燒結(jié)后樣品的介質(zhì)損耗值較小。
實(shí)驗可以看出,相對于AIN陶瓷基板而言,Al2O3陶瓷基板更加適合使用在RFID電子標(biāo)簽上。
國內(nèi)對于RFID的研究已經(jīng)很成熟了,國內(nèi)做陶瓷電路板的企業(yè)卻不是很多,目前能夠成功量產(chǎn)的更是少之又少,斯利通作為陶瓷電路板行業(yè)的先行者,有必要帶領(lǐng)整個行業(yè)進(jìn)步,來協(xié)助RFID的更進(jìn)一步。
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