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       前幾天，斯利通小編看了中點(diǎn)臺(tái)的一個(gè)節(jié)目，講的是中國芯片的進(jìn)展，其中主要講的就是IGBT模塊。把我國IGBT領(lǐng)域的進(jìn)行了一定的夸張性的描述，那么我國IGBT到底發(fā)展如何，斯利通小編今天帶大家了解一下：我們不妨從IGBT是什么開始。
       一說起IGBT，業(yè)內(nèi)人士都以為不就是一個(gè)開關(guān)嘛，都不是很了解。然而它和陶瓷基板一樣，是國家「02專項(xiàng)」的要點(diǎn)扶持項(xiàng)目，是屬于現(xiàn)在功率電子器件里技術(shù)較先進(jìn)的產(chǎn)品，已經(jīng)一體取代了傳統(tǒng)的Power MOSFET。IGBT的應(yīng)用非常廣泛，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”；長期以來，該產(chǎn)品（包括晶片）還是被壟斷在少數(shù)IDM手上(FairChild 、Infineon、TOSHIBA)。           
       從功能上來說，IGBT就是一個(gè)電路開關(guān)，用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。（相對(duì)而言，手機(jī)、電腦電路板上跑的電電壓低，以傳輸信號(hào)為主，都屬于弱電。）可以認(rèn)為就是一個(gè)晶體管，電壓電流超大而已。
       從市場(chǎng)競爭格局來看，美國功率器件處于較有優(yōu)勢(shì)地位，擁有一批具有大部分國家影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家大部分國家半導(dǎo)體大廠，產(chǎn)品線齊全，無論是功率 IC 還是功率分離器件都具有不錯(cuò)實(shí)力。
       日本功率器件廠商主要有 Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric 等等。日本廠商在分立功率器件方面做的較好，但在功率芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，不過很多廠商的核心業(yè)務(wù)并非功率芯片。從整體市場(chǎng)份額來看，日本廠商落后于美國廠商。但是大部分國家有近70%的IGBT模塊市場(chǎng)被三菱、東芝及富士等日系企業(yè)控制。德系的英飛凌也是大部分國家IGBT****企業(yè)之一，其單獨(dú)式 IGBT功率晶體以24.7%的市場(chǎng)占有率位居靠前，IGBT模塊則以20.5%的市場(chǎng)占有率位居第二。
       根據(jù)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，在高壓大功率IGBT芯片方面，由于對(duì)IGBT芯片可靠性要求非常高，而且我國還沒有一個(gè)廠家能夠?qū)崿F(xiàn)6500V IGBT芯片本土產(chǎn)業(yè)化，為此國內(nèi)企業(yè)每年需花費(fèi)數(shù)億元從國外采購IGBT產(chǎn)品。他們進(jìn)一步指出，由于國外采購周期長達(dá)數(shù)月甚至一年以上，嚴(yán)重制約了我國軌道交通裝備的自主創(chuàng)新和民族品牌創(chuàng)立，大大降低了國內(nèi)動(dòng)車、機(jī)車裝備在全部市場(chǎng)的競爭力，因此發(fā)展國內(nèi)的IGBT產(chǎn)業(yè)迫在眉睫。
       為了實(shí)現(xiàn)自主可控，國內(nèi)廠商正在開始推進(jìn)IGBT的國產(chǎn)化，相關(guān)部門也在推動(dòng)。針對(duì)我國當(dāng)前功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r以及2016-2020年電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展要點(diǎn)，在中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)和北京電力電子學(xué)會(huì)共同發(fā)布的《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》中指出：電力電子器件產(chǎn)業(yè)的核心是電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎(chǔ)的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)。
       陶瓷基板作為功率型IGBT不可或缺的材料，同樣作為國家要點(diǎn)推進(jìn)項(xiàng)目，目前我國陶瓷電路板在IGBT的應(yīng)用方面取得了可喜的進(jìn)展。國內(nèi)斯利通已能夠量產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板，這一成果將會(huì)直接打破日美歐的壟斷地位，為我國的電子產(chǎn)業(yè)重新打開了一扇大門。
       2011年12月，北車西安永電成為國內(nèi)靠前個(gè)、世界第四個(gè)能夠封裝6500V以上IGBT產(chǎn)品的企業(yè)。
       2013年9月，中車西安永電成功封裝國內(nèi)首件自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的50A/3300V IGBT芯片；
       2014年6月，中車株洲時(shí)代推出大部分國家第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片有經(jīng)驗(yàn)生產(chǎn)線投入使用；
       2015年3月，天津中環(huán)自主研制的6英寸FZ單晶材料已批量應(yīng)用，8英寸FZ單晶材料也已經(jīng)取得重大打破；
       2015年8月，上海先進(jìn)與比亞迪、 國家電網(wǎng)建立戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，正式進(jìn)入比亞迪新能源汽車用IGBT供應(yīng)鏈；
       2015年10月，中車永電/上海先進(jìn)聯(lián)合開發(fā)的國內(nèi)較早的具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6500V高鐵機(jī)車用IGBT芯片通過高鐵系統(tǒng)上車試驗(yàn)；
       2015年底，中車株洲時(shí)代與北汽新能源簽署協(xié)議，一體啟動(dòng)汽車級(jí)IGBT和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)的合作；
       2016年5月，華潤上華/華虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進(jìn)入量產(chǎn)。
       受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施與陶瓷基板的技術(shù)打破，IGBT市場(chǎng)將引來爆發(fā)點(diǎn)。但是我們不能驕傲，依然還需加速前進(jìn)，才能完成逆襲。