KRI射頻離子源RFICP系列上海伯東美國KRI射頻離子源RFICP系列,無需燈絲提供高能量,低濃度的離子束,通過柵極控制離子束的能量和方向,單次工藝時(shí)間更長!射頻源RFICP系列提供完整的套裝,套裝包含離子源本體,電子供應(yīng)器,中和器,自動(dòng)控制器等.射頻離子源適
2023-12-14 /個(gè)美國KRI考夫曼離子源GriddedKDC系列上海伯東國外進(jìn)口進(jìn)口考夫曼離子源KDC系列,加熱燈絲產(chǎn)生電子,是典型的考夫曼型離子源,增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出高質(zhì)量,穩(wěn)定的電子流.美國KRI考夫曼公司新升級(jí)GriddedKDC系列離子源,新的特性包含自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)
2023-12-14 /個(gè)美國KRI霍爾離子源GridlesseH系列美國KRI霍爾離子源eH系列緊湊設(shè)計(jì),高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力,霍爾離子源eH可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè),半導(dǎo)體應(yīng)用.霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRi射頻離子源RFICP220上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP220高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻.在離子束濺射工藝中,射頻離子源RFICP220配有
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。大口徑射頻離子源RFICP380上海伯東美國KRI大口徑射頻離子源RFICP380,3層?xùn)艠O設(shè)計(jì),柵極口徑38cm,提供離子動(dòng)能100-1200eV寬束離子束,套裝包含離子源本體和電源控制
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國KRI霍爾離子源eH400上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH400低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流,霍爾離子源eH400尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng),可以控制較低的離子能量,通
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI霍爾離子源eH1000上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH1000**氣體利用,低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流,特別適合中型真空系統(tǒng).通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜,預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.尺寸
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI射頻離子源RFICP100上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼型離子源RFICP100緊湊設(shè)計(jì),適用于離子濺鍍和離子蝕刻.小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出>400mA離子流.考夫曼型離子源RF
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI考夫曼離子源KDC75上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC75:緊湊柵極離子源,離子束直徑14cm,可安裝在8“CF法蘭.適用于中小型腔內(nèi),考夫曼離子源KDC75包含
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI射頻離子源RFICP40上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP40:目前KRI射頻離子源RFICP系列尺寸較小,低成本**離子源.適用于集成在小型的真空腔體內(nèi).離子源RFIC
2023-12-14 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI考夫曼離子源KDC10上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC10:考夫曼型離子源Gridded系列較小型號(hào)的離子源.適用于集成在小型的真空設(shè)備中,例如預(yù)清洗,離子濺射,離子蝕
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI考夫曼離子源KDC40上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC40:小型低成本直流柵極離子源.KDC40是3cm考夫曼型離子源升級(jí)款.具有更大的柵極,更堅(jiān)固,可以配置自
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI霍爾離子源eH2000上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH2000是一款更強(qiáng)大的版本,帶有水冷方式,他具備eH1000所有的性能,低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流,特別適合大中型真空
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI霍爾離子源eH3000上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH3000較適合大型真空系統(tǒng),與友廠大功率離子源對(duì)比,eH3000是目前市場(chǎng)上較**,提供較高離子束流的離子源.尺寸:直
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI線性霍爾離子源eHLinear上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI線性離子源使用eH400做為模組,能應(yīng)用于寬范圍的襯底,離子源長度高達(dá)1米,通過嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實(shí)現(xiàn)較佳的均勻性
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI射頻離子源RFICP140上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP140是一款緊湊的有柵極離子源,非常適用于離子束濺射沉積,離子輔助沉積和離子束刻蝕.在離子束濺射工藝中,射頻離子源
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。離子源e-Mission上海伯東美國KRI考夫曼離子源提供多個(gè)類型的低能量高密度的電子源,從簡單的熱電子燈絲模式到中空陰極模式,典型應(yīng)用在等離子和離子工藝中的陰極和陽極中和器,通過****技術(shù)完成
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。離子源中空陰極e-MissionHollowCathodes上海伯東美國KRI考夫曼離子源提供中空陰極e-MissionHollowCathodes結(jié)構(gòu)緊湊,重量輕,可以安裝在離子源或真空系統(tǒng)
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI霍爾離子源eH200上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH200是霍爾離子源型eH系列中尺寸較小,低成本設(shè)計(jì)離子源.霍爾離子源eH200適用于小型真空腔內(nèi),例如研發(fā)分析,薄膜沉
2023-12-13 /個(gè)因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI考夫曼離子源KDC160上海伯東代理國外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC160是目前考夫曼KDC系列較大,離子能量較強(qiáng)的柵極離子源,適用于已知的所有離子源應(yīng)用,離子源KDC160
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