KRi 射頻離子源 RFICP 40

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KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理國外進口進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸較小, 低成本**離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設計采用創(chuàng)新的柵極技術用于研發(fā)和開發(fā)應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調(diào)節(jié), 有效優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動調(diào)節(jié)技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數(shù):

型號	RFICP 40
Discharge 陽極	RF 射頻
離子束流	>100 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm
直徑	13.5 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項****. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

 

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