金屬材料四探針電阻率測試儀

四探針電阻率測試儀導(dǎo)電材料電阻測試儀

金屬材料四探針電阻率測試儀BEST-300C

適用范圍四端測試法是目前較先進(jìn)之測試方法，主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動(dòng)測量并根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項(xiàng)目要求選購.

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求

金屬材料四探針電阻率測試儀電阻測量范圍：

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  較小1μΩ

測量誤差±5%

測量電壓量程：2mV  20mV 200mV2V

測量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

電流輸出：直流電流0～1000mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

顯示方式：液晶顯示

電源：220±10% 50HZ/60HZ 

標(biāo)配：測試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

金屬材料四探針電阻率測試儀

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

半導(dǎo)電材料電阻測試儀時(shí)需綜合考慮測量需求、儀器性能及使用環(huán)境等因素。以下是關(guān)鍵選擇要點(diǎn)：明確測量需求測量范圍與精度半導(dǎo)電材料（如橡塑護(hù)套、電纜接管）的電阻值通常介于 \(10^{-4} \Omega \cdot \text{cm}\) 至 \(10^8 \Omega \cdot \text{cm}\) 之間。需確保測試儀的測量范圍覆蓋實(shí)際應(yīng)用需求。例如，若需測量中高值電阻（\(10^6 \sim 10^8 \Omega\)），應(yīng)選擇量程擴(kuò)展能力強(qiáng)的儀器，并關(guān)注其誤差范圍（如2兆歐檔誤差±0.5%讀數(shù) 2字）。精度要求：高精度場景（如實(shí)驗(yàn)室）需選擇誤差更小的儀器，而常規(guī)檢測可適當(dāng)放寬精度要求。測試電流適配性半導(dǎo)電材料對測試電流敏感，需根據(jù)材料特性選擇電流檔位。例如，某些儀器提供1微安、0.1微安等多檔位輸出，避免電流過大導(dǎo)致材料損傷或測量失真。核心功能與技術(shù)特性四端子測量法采用四端子法可消除接觸電阻的影響，提升測量準(zhǔn)確性，尤其適用于微電阻或高阻值測量場景。相較傳統(tǒng)兩線法或兆歐表，四線法更適合半導(dǎo)電材料的精密檢測。環(huán)境適應(yīng)性儀器需在特定溫濕度條件下工作（如溫度23±2°C、濕度<65%），選擇時(shí)需確認(rèn)其穩(wěn)定性和抗干擾能力，避免環(huán)境波動(dòng)導(dǎo)致數(shù)據(jù)偏差。部分儀器內(nèi)置溫度補(bǔ)償功能，可減少溫度變化對電阻值的影響。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與顯示支持?jǐn)?shù)字顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及導(dǎo)出功能的儀器更便于后續(xù)分析。例如，3位數(shù)字顯示屏和自動(dòng)過載提示能提升操作效率。儀器類型與便攜性1.手持式 vs 臺(tái)式手持式：適合現(xiàn)場快速檢測，便攜性強(qiáng)，但可能犧牲部分精度或功能。實(shí)驗(yàn)室場景優(yōu)先選擇，通常具備更高精度和擴(kuò)展功能（如多檔位電流調(diào)節(jié)）。若需測量特殊形狀或尺寸的樣品（如扁鋼接地體），需搭配專用取樣器（如半導(dǎo)電橡塑電阻儀取樣器）以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測量。品牌與認(rèn)證符合行業(yè)標(biāo)選擇通過國家或國際認(rèn)證的儀器（如符合GB/T標(biāo)準(zhǔn)），確保安全性與可靠性。例如，部分儀器明確標(biāo)注符合電力行業(yè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)（如DL/T 845.4-2004）。

品牌與技術(shù)支持優(yōu)先選擇技術(shù)成熟、提供售后支持的品牌  北廣精儀儀器設(shè)備有限公司的設(shè)備提供完整的技術(shù)支持和售后服務(wù)，保障儀器的長期穩(wěn)定使用。操作與維護(hù)便利性人機(jī)交互設(shè)計(jì)直觀的菜單操作、旋轉(zhuǎn)鼠標(biāo)輸入或自動(dòng)量程切換功能可簡化操作流程，減少人為誤差。耐用性與維護(hù)選擇具備堅(jiān)固外殼、防塵防水（如IP54等級）的儀器，適應(yīng)戶外或復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。同時(shí)，關(guān)鍵部件采用進(jìn)口元件的儀器壽命更長。應(yīng)用場景擴(kuò)展

若需同時(shí)測量土壤電阻率或泄漏電流，可考慮多功能測試儀，但需確認(rèn)其是否兼容半導(dǎo)電材料特性�？偨Y(jié)建議明確被測材料的電阻范圍及測試環(huán)境，選擇匹配量程和精度的儀器優(yōu)先采用四端子法的設(shè)備，確保測量準(zhǔn)確性根據(jù)場景（現(xiàn)場/實(shí)驗(yàn)室）選擇便攜式或高精度臺(tái)式儀器。核查品牌資質(zhì)與售后服務(wù)，避免后續(xù)使用問題。  

例如，北廣精儀的的半導(dǎo)電電阻測試適合中高阻值測量，而需要更大電流擊穿氧化膜的場景可參考回路電阻測試儀的選型思路（如連續(xù)可調(diào)電流設(shè)計(jì)）。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗(yàn)方法。

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量較好度尚未評估。

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的較新版本。凡是不注日期的引用文件，其較新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測定 直排四探針法

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測試精度。 

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測試結(jié)果。

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會(huì)影響測試結(jié)果，試劑優(yōu)級純，純水，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN·cm。 99.5%。 干燥氮?dú)狻�測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。

探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。

樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.電流換向開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。

電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

于10*0.電子測量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，較小刻度為0.1 ℃。

化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試∶試樣在585中源洗1min。如必要，在585中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用585源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/p>

測量條件和步驟整個(gè)測試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動(dòng)下進(jìn)行。

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.

將操針下降到試樣表面測試，使四探行針高等陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 

接通電流，令其任一方向?yàn)檎�向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5，重復(fù)8.4～~8.7的測量步驟，測5組數(shù)據(jù)，測量結(jié)果計(jì)算

試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號; 試樣種類; 試樣薄層厚度;測試電流; 測試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號; h） 測量、測量者和測量日期。

對仲裁測量，報(bào)告還應(yīng)包括對探針狀況、電測裝置的精度、所測原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。

電壓擊穿測試儀，體積表面電阻率測試儀，介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀，漏電起痕試驗(yàn)儀，耐電弧試驗(yàn)儀，TOC總有機(jī)碳分析儀，完整性測試儀，無轉(zhuǎn)子硫化儀，門尼粘度試驗(yàn)機(jī)，熱變形維卡溫度測定儀，簡支梁沖擊試驗(yàn)機(jī)，毛細(xì)管流變儀，橡膠塑料滑動(dòng)摩擦試驗(yàn)機(jī)，氧指數(shù)測定儀，水平垂直燃燒試驗(yàn)機(jī)，熔體流動(dòng)速率測定儀，低溫脆性測試儀，拉力試驗(yàn)機(jī)，海綿泡沫壓陷硬度測試儀，海綿泡沫落球回彈測試儀，海綿泡沫壓縮永九變形試驗(yàn)儀