等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。設(shè)備介紹:本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEC
2017-05-02 9988/臺(tái)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。設(shè)備介紹:本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEC
2017-05-02 6999/臺(tái)技術(shù)參數(shù)設(shè)備名稱:1200度箱式爐設(shè)備型號(hào):BF1200-6/6/6加熱尺寸:深600*寬600*高600mm爐膛容積:216L較高溫度:1200度(1小時(shí))工作溫度:≤1100度(連續(xù))工作電源:三相380V50/60Hz30Kw加溫加熱元件:硅碳
2017-05-02 9999/臺(tái)