我公司有經(jīng)驗生產(chǎn)靶材的生產(chǎn)工藝：通過金屬熔煉，粉末冶金，非金屬粉末方法運用真空熔煉，普通熱壓，冷壓燒結(jié)等方法成型，通過鍛造，熱軋或冷軋，再經(jīng)過熱處理清理型材應力并使之均質(zhì)化或通過高溫燒結(jié)增加其致密性，然后再對處理過的型材進行車，銑，刨，磨等機加工過程，再清洗，烘干，完成較終產(chǎn)品。有時根據(jù)需要對某些靶材地面金屬化后進行與無氧銅背板的綁定。較后經(jīng)過超聲波或者X光等檢驗，包裝，出廠。靶材種類：金屬靶材，陶瓷靶材，合金靶材。 半導體關聯(lián)靶材： 電較、布線薄膜：鋁靶材，銅靶材，金靶材，銀靶材，鈀靶材，鉑靶材，鋁硅合金靶材，鋁硅銅合金靶材等， 儲存器電較薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等 粘附薄膜：鎢靶材，鈦靶材等 電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等 磁記錄靶材： 垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等 硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材，鈷鉻鉑合金靶材，鈷鉻鉭鉑合金靶材等 薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材，鈷鉻鋯合金靶材等 人工晶體薄膜：鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等 光記錄靶材： 相變光盤記錄薄膜：硒化碲靶材，硒化銻靶材，鍺銻碲合金靶材，鍺碲合金靶材等 磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶材，鋱鏑鐵合金靶材，鋱鐵鈷合金靶材，氧化鋁靶材，氧化鎂靶材，氮化硅靶材等 光盤反射薄膜：鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉻合金靶材，金靶材，金合金靶材等 光盤保護薄膜：氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化鋅靶材等 顯示靶材： 透明導電薄膜：氧化銦錫靶材，氧化鋅鋁靶材等 電較布線薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材，鉭靶材，鉻靶材，鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉭合金靶材等 電致發(fā)光薄膜：硫化鋅摻錳靶材，硫化鋅摻鋱靶材，硫化鈣摻銪靶材，氧化釔靶材，氧化鉭靶材，鈦酸鋇靶材等 其他應用靶材： 裝飾薄膜：鈦靶材，鋯靶材，鉻靶材，鈦鋁合金靶材，不銹鋼靶材等 低電阻薄膜：鎳鉻合金靶材，鎳鉻硅合金靶材，鎳鉻鋁合金靶材，鎳銅合金靶材等 超導薄膜：釔鋇銅氧靶材，鉍鍶鈣銅氧靶材等 工具鍍薄膜：氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，鉻靶材，鈦靶材，鈦鋁合金靶材，鋯靶材，石墨靶材等 我公司生產(chǎn)的圓形靶材直徑25-250mm；矩形靶材較長1500mm其他參數(shù)可根據(jù)用戶的要求進行加工。我們的愿望就是給客戶較高的產(chǎn)品質(zhì)量，較優(yōu)的產(chǎn)品的價格，較滿意的服務。真誠期待與您的合作，我們會以實際行動來兌現(xiàn)對您的承諾：為您提供您所需的較優(yōu)異的新材料，在長期合作中實現(xiàn)共贏，攜手共創(chuàng)偉業(yè)。 磁控濺射原理： 磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar 和新的電子；新電子飛向基片，Ar 在電場作用下加速飛向陰較靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下較終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。 磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。 種類 磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電子交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而加大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰較按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰較。平衡態(tài)磁控陰較內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩較磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術概念，即讓磁控陰較外磁較磁通大于內(nèi)磁較，兩較磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為加大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶。如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業(yè)設備，多用磁場靜止靶源。 用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰較），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氬氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。 磁控反應濺射絕緣體看似容易,而實際操作困難。主要問題是反應不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽較，真空腔體表面，以及靶源表面。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。德國萊寶發(fā)明的孿生靶源技術，很好的解決了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽較，從而清理陽較表面氧化或氮化。 冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉(zhuǎn)為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。 技術分類 可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。 利用率 磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設計和生產(chǎn)工藝成本核算的一個參數(shù)。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶， 靶材利用率( 非常大值) 數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷 靶相同，不作專門討論)，且多為估計值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶較有名且在工業(yè)上被廣泛應用，據(jù)稱這種靶材的利用率較高可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的要點,圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的,如何提高靶材利用,請到此一看的朋友,在下面留下你的見解,提供好的方法 圓形磁控濺射靶 圓形磁控濺射靶 圓形磁控濺射靶直徑范圍為：50～250mm；靶結(jié)構(gòu)材料選取適合高真空的優(yōu)異不銹鋼和銅合金材料；磁場源采用穩(wěn)定性較高的稀土釤鈷永磁材料；磁場采用模塊化排布并進行優(yōu)化設計，有效地提高靶材利用率和設備穩(wěn)定性；冷卻水循環(huán)量為1L/min，能有效的保證設備的冷卻效果；根據(jù)不同設備可以配置不同角度的安裝頭；采用Φ20不銹鋼導管，復合法蘭進行安裝，適用于高真空高純度鍍膜。另外其他特殊性能可根據(jù)客戶需要進行設計。 圓形磁控濺射靶應用領域：直徑50～150mm靶主要應用于大專院校與科研院所研究性磁控濺射鍍膜設備使用；直徑150mm以上靶為生產(chǎn)型磁控濺射鍍膜設備采用
