KRI 考夫曼離子源 KDC 160

 

 

 

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KRI 考夫曼離子源 KDC 160
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列較大,離子能量較強(qiáng)的柵極離子源, 適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 160 高輸出設(shè)計(jì),較大電流超過(guò) 1000 mA. 無(wú)需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 800 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	KDC 160
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽(yáng)極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專(zhuān)用, 自對(duì)準(zhǔn)
-柵極直徑	16 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000
- 安裝	移動(dòng)或快速法蘭
- 高度	9.92
- 直徑	9.1
- 離子束	聚焦 平行 散設(shè)
-加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性 活性 混合
-安裝距離	8-45”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

• 可選: 可調(diào)角度的支架
  
  KRI 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用領(lǐng)域
  濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
  輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
  表面改性, 激活 SM
  離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
  離子蝕刻 IBE

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