等直徑碳化硅加熱管型號(hào)

 硅碳棒的成分是碳化硅（SiC),主要成分為SiC94.4%，SiO,3.6%,其余為少量的鋁、鐵、氣化鈣等。熔點(diǎn)2227°C,使用溫度為 1400±50C。
　　碳化硅有無定形和晶體兩種，對(duì)化學(xué)試劑是穩(wěn)定的。它不溶于一般熟知的酸溶液屮和它們的混合酸中。沸騰的鹽酸、氫氟酸、硫酸不會(huì)分解碳化硅。各種酸蒸氣對(duì)硅碳棒不起化學(xué)作用。
　　氯在600°C時(shí)分解SiC的表面層，在900-1000。C時(shí)則進(jìn)行下列反應(yīng)：
　　SiC+2Cl2=SiCl4+C
　　在1100-1200C時(shí)形成四氯化硅和四氮化碳：
　　SiC+4Cl2=SiCl4+CCl4
　　SiC和水蒸汽在1300-1400C作用，但要到1775-1800。0才強(qiáng)列的作用：
　　SiC+2H20=Si02+CH4
　　因此必須隔絕水蒸汽的浸入。
　　SiC在氧中，在1000。0以下不被氧化，在1350。0時(shí)顯著地氣化。在1350?1500。0之間形成Si02,而Si02在1700。0左右熔化。所生成的3102在熔化時(shí)覆蓋在SiC的上面,阻礙SiC再繼續(xù)氧化。
　　在1750.C時(shí)，SiC按下列反應(yīng)強(qiáng)烈地進(jìn)行氣化：
　　在1750‘C時(shí)，SiC按下列反應(yīng)強(qiáng)烈地進(jìn)行氧化,SiC + l+02=Si0+C0
　　SiC+202=Si02+C02
SiC在1100-C, 1小時(shí)可氧化0.47%,而在1250C時(shí)為
1.82%。
硫磺蒸氣僅在髙丁HOOT時(shí)和SiC作用。
2000。(?以上，在Si02作用下，SiC分解并析出硅：
SiC+Si02=2Si-C0