化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)是用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。在典型的CVD 工藝過(guò)程中,把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。通常,工藝過(guò)程中還會(huì)產(chǎn)生很多副產(chǎn)物,這些副產(chǎn)物會(huì)被氣流帶走離開(kāi)腔室。由于CVD 技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。
根據(jù)化學(xué)氣相沉積的工藝條件不同,可以細(xì)分為等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、常壓/低壓化學(xué)氣相沉積(APCVD/LPCVD)、原子層化學(xué)氣相沉積(ALCVD)、氣相外延(VPE)等技術(shù)。根據(jù)數(shù)據(jù),CVD 設(shè)備占整個(gè)設(shè)備投入資金比例大概為15%,我們推算2018-2020年國(guó)內(nèi)晶圓廠建設(shè)對(duì)應(yīng)的CVD 設(shè)備市場(chǎng)空間分別為157、162、172億元。而其中PECVD、AP/LPCVD、ALD 和VPE 分別占比約為35%、35%、10%和15%左右。
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