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我國半導體設備之化學氣相沉積CVD設備

發(fā)布日期：2021-03-08 來源：http://www.china-protech.com/a/xingyedongtai/20191030/475.html 作者：鄭州諾泰科技

化學氣相沉積（CVD）技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD 工藝過程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下發(fā)生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜。通常，工藝過程中還會產(chǎn)生很多副產(chǎn)物，這些副產(chǎn)物會被氣流帶走離開腔室。由于CVD 技術具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點，被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。

根據(jù)化學氣相沉積的工藝條件不同，可以細分為等離子體化學氣相沉積（PECVD）、常壓/低壓化學氣相沉積（APCVD/LPCVD）、原子層化學氣相沉積（ALCVD）、氣相外延（VPE）等技術。根據(jù)數(shù)據(jù)，CVD 設備占整個設備投入資金比例大概為15%，我們推算2018-2020年國內(nèi)晶圓廠建設對應的CVD 設備市場空間分別為157、162、172億元。而其中PECVD、AP/LPCVD、ALD 和VPE 分別占比約為35%、35%、10%和15%左右。

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